1 主存储器概述 #
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id1[主存储器概述]
id1-1[定义与作用]
id1-2[在计算机系统中的地位]
id1-3[主要性能指标]
定义与作用
在计算机系统中的地位
主要性能指标
2 主存储器的分类 #
- 半导体存储器
- 磁存储器
- 光存储器
- 随机存取存储器（RAM）
- 只读存储器（ROM）
- 顺序存取存储器
- 直接存取存储器
按存储介质分类
按存取方式分类
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id2[主存储器的分类]
id2-1[按存储介质分类]
id2-2[按存取方式分类]
3 半导体存储器的基本结构 #
- 静态RAM存储单元
- 动态RAM存储单元
- ROM存储单元
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id3[半导体存储器的基本结构]
id3-1[存储单元]
id3-2[存储矩阵]
id3-3[地址译码器]
id3-4[读写控制电路]
id3-5[数据缓冲器]
存储单元
存储矩阵
地址译码器
读写控制电路
数据缓冲器
4 随机存取存储器 RAM #
- 工作原理
- 电路结构
- 特点与应用
- 工作原理
- 刷新机制
- 特点与应用
- 同步DRAM（SDRAM）
- 双倍数据速率SDRAM（DDR SDRAM）
- 图形DDR（GDDR）
- 低功耗DDR（LPDDR）
静态RAM SRAM
动态RAM DRAM
RAM的技术发展
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id4[随机存取存储器 RAM]
id4-1[静态RAM SRAM]
id4-2[动态RAM DRAM]
id4-3[RAM的技术发展]
5 只读存储器 ROM #
- NOR Flash
- NAND Flash
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id5[只读存储器 ROM]
id5-1[掩模ROM]
id5-2[可编程ROM PROM]
id5-3[可擦除可编程ROM EPROM]
id5-4[电可擦除可编程ROM EEPROM]
id5-5[闪存 Flash Memory]
掩模ROM
可编程ROM PROM
可擦除可编程ROM EPROM
电可擦除可编程ROM EEPROM
闪存 Flash Memory
6 主存储器与CPU的接口 #
地址总线
数据总线
控制总线
时序关系
存储器映射
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id6[主存储器与CPU的接口]
id6-1[地址总线]
id6-2[数据总线]
id6-3[控制总线]
id6-4[时序关系]
id6-5[存储器映射]
7 存储器扩展技术 #
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id7[存储器扩展技术]
id7-1[位扩展]
id7-2[字扩展]
id7-3[字位同时扩展]
id7-4[多体交叉存储器]
id7-5[存储器的层次结构]
位扩展
字扩展
字位同时扩展
多体交叉存储器
存储器的层次结构
8 主存储器的性能优化 #
- 时间局部性
- 空间局部性
高速缓存技术
虚拟存储器
存储器访问局部性原理
预取技术
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id8[主存储器的性能优化]
id8-1[高速缓存技术]
id8-2[虚拟存储器]
id8-3[存储器访问局部性原理]
id8-4[预取技术]
9 主存储器的可靠性 #
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id9[主存储器的可靠性]
id9-1[奇偶校验]
id9-2[海明码]
id9-3[循环冗余校验 CRC]
id9-4[错误纠正码 ECC]
奇偶校验
海明码
循环冗余校验 CRC
错误纠正码 ECC
10 新型存储器技术 #
相变存储器 PCM
磁阻存储器 MRAM
铁电存储器 FRAM
电阻式存储器 ReRAM
D XPoint技术
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id10[新型存储器技术]
id10-1[相变存储器 PCM]
id10-2[磁阻存储器 MRAM]
id10-3[铁电存储器 FRAM]
id10-4[电阻式存储器 ReRAM]
id10-5[D XPoint技术]
11 主存储器的测试与维护 #
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id11[主存储器的测试与维护]
id11-1[存储器测试方法]
id11-2[故障诊断技术]
id11-3[维护策略]
id11-4[数据备份与恢复]
存储器测试方法
故障诊断技术
维护策略
数据备份与恢复
12 主存储器的发展趋势 #
容量增长趋势
速度提升技术
功耗优化
新型存储材料的研发
量子存储技术展望
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id12[主存储器的发展趋势]
id12-1[容量增长趋势]
id12-2[速度提升技术]
id12-3[功耗优化]
id12-4[新型存储材料的研发]
id12-5[量子存储技术展望]